接上一篇文章PVD溅射镀，这篇文章我学习一下真空蒸发镀，并做好总结和对比，最后总结一下，对于ID和CMF设计师，什么情况下会用到蒸发镀。
PVD真空蒸发镀技术是应用最早的镀膜技术，英文名称为：Vacuum Evaporation，简称VE。这种方法最早由M.法拉第于1857年提出,现代已成为常用镀膜技术之一。
（一） 真空蒸发镀的原理
真空蒸发镀的原理：在高真空度中，采用热源将固态膜料加热蒸发成金属蒸汽，气化的金属原子在高真空中向待镀件运动，然后在待镀件表面冷却形成固态薄膜。
大致过程如下图：
（蒸发镀原理）
（二） 真空蒸发镀的应用
真空蒸发镀膜技术的应用非常广泛，如下图：
（这两张图都来源于抖音王教授，具体链接见文章末尾）
（三） 真空蒸发镀的工艺阶段
真空蒸发镀需要在封闭的蒸镀机里完成，根据内部空间大小不同分为钟罩型和开门型，如下图：
（钟罩型） （开门型）
蒸发镀工艺分三个阶段：
阶段一：离子轰击清洗待镀件。 因为待镀件表面会有杂质或脏污物质，会影响最终镀膜效果，所以需要用氩气辉光电离轰击待镀件表面进行清洗，清洗时待镀件表面看到淡紫色辉光，就像圣斗士的小宇宙，很是好看。如下图：
阶段二：固态膜材蒸发： 蒸发的膜材通常是纯金属铝、铜、铬等；为了让金属气化，需要将温度加热到金属的沸点，真空状态下一般在1500度左右。目前主流有三种加热方式：电阻加热，高频感应加热和电子束枪加热。原理如下图：
（电阻蒸发镀原理） （电子束蒸发镀原理）
电阻蒸发镀：就是用高熔点的难蒸发物质如钨通电升温到2000°左右蒸发熔点低的金属如铝，下图是在蒸发中的图：
电子束蒸发镀：在高真空下，电子枪灯丝加热后发射热电子，被加速阳极加速，获得很大的动能轰击到的蒸发材料上，把动能转化成热使蒸发材料加热气化，而实现电子束蒸发镀。电子束蒸发镀由发射电子的热阴极、电子加速极和作为阳极的镀膜材料组成。电子束蒸发源的能量可高度集中，使镀膜材料局部达到高温而蒸发。通过调节电子束的功率，可以方便的控制镀膜材料的蒸发速率，特别是有利于高熔点以及高纯金属和化合物材料。下图是电子束工作中的图片：
电子束蒸发镀的腔内如下图：
电子束蒸发镀在工厂产线的外景图：
常见的蒸镀材料及蒸发装置的选择
常见蒸发镀膜材料：
金属：铝（Al）、银（Ag）、金（Au）、锡（Sn）、铜（Cu），Pt（铂），Ti（钛）等。
氧化物：二氧化钛（TiO2）、氧化锌（ZnO），氧化硅（SiO2）等。
半导体：Si（硅），硫化镉（CdS）、硒化镉（CdSe）等。
绝缘材料：氟化钙（CaF2）、硫酸钡（BaSO4），氟化镁、氟化镝、氟化镧等。
阶段三：气态金属原子沉积： 气态金属原子走直线路径，在待镀件上遇冷沉积成薄膜。如下图：
（四） 真空蒸发镀的特点和对比
整体说来，蒸发镀膜工艺制程相对较简单，加工难度较低，应用较广。 作为PVD主流技术之一，它跟溅射镀的对比如下：
（五） ID和CMF什么情况下选择蒸发镀
对于我们ID和CMF设计师而言，什么情况下的外观件需要用到蒸发镀工艺，我总结了如下：
塑胶件和金属件的蒸发镀的工艺流程跟溅射镀一样，塑料调色用喷涂，金属调色在蒸发镀调整靶材和相关参数，步骤大致如下图：
以上是我对蒸发镀的理解，请大神指点。
由于溅射镀和蒸发镀都有各自的缺点，所以就诞生了一种结合溅射镀和蒸发镀优点的工艺，叫离子镀，下一篇文章准备写。
感谢如下大神对蒸发镀知识的无私奉献，感兴趣的可以点击链接：
这是一个国外大神手真空蒸发镀设备的视频，里面基本上讲清楚了
这是简单的三种PVD技术的解释视频：
国内厂家蒸发镀膜的介绍：
王教授的蒸发镀层讲座：
知乎文章
https://zhuanlan.zhihu.com/p/617264424
https://zhuanlan.zhihu.com/p/638170967
https://www.zhihu.com/question/659740112/answer/97889035140
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太完美了
感谢大佬的分享哈
好全面